特色：
●独家首创防虫设计，电路板背面配置防虫盖板，一次侧元件接脚配置防虫绝缘护套
●通过80PLUS金牌认证，降低废热产生，节省电能消耗及电费支出
●14公分短机身，搭配黑色直出线组，提供2个EPS 4+4P接头，支援Intel/AMD处理器及主机板平台
●谐振转换搭配12V同步整流及3.3V/5V/-12V DC-DC转换设计，单路12V输出，使12V可用功率最大化，改善各输出电压交叉调整率
●内部12公分温控散热风扇具备风扇停转功能，于低负荷下风扇将停止转动，在散热效能与静音中取得平衡
●多重电路保护设计
●内部采用长效固态电容及全日系电解电容，提供十年保固维修
官方网站：https://www.accuwitt.com
官方LINE@：@accuwitt
https://page.line.me/accuwitt
accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W输出接头数量：
ATX20+4P：1个
EPS 4+4P：2个
PCIE 6+2P：4个
SATA：8个
大4P：2个
▼外盒正面有商标、”Bug Buster”防虫图示、中英文”独家首创防虫高效电源”字样、产品名称、80PLUS金牌认证、10年保固图示、产品特色
▼外盒背面有商标、产品名称、输入/输出规格表、接头外观/数量/线材长度配置图、安规认证
▼外盒上侧面有商标、产品名称、中英文九大特色说明、80PLUS金牌认证、10年保固图示、”Bug Buster”防虫图示。外盒下侧面有商标、产品名称、条码、授权制造商资讯、代理商资讯、官方网站连结QR码、官方Line连结QR码
▼外盒左/右侧面有商标、产品名称、80PLUS金牌认证、10年保固图示、”Bug Buster”防虫图示
▼于外盒开启处的内面印上商标
▼包装内容有中文使用手册、英文使用手册、电源本体、固定螺丝、魔鬼毡整线带、交流电源线
▼本体尺寸为150x86x140mm
▼本体两侧贴上亮面贴纸，上面印上商标、”Bug Buster”防虫图示、中英文”独家首创防虫高效电源”字样、产品名称、80PLUS金牌认证、10年保固图示、官方网址
▼风扇护网直接冲压在外壳上，中心处有商标铭牌
▼本体背面的标签有商标、产品名称、80PLUS金牌认证、输入电压/电流/频率、各组最大输出电流/功率、总输出功率、型号、制造厂商资讯、产地、安规认证、中英文警告讯息、条码
▼本体出风口处交流输入插座旁有商标/标语及”Bug Buster”防虫图示
▼直出线组开口右下方有5个长条形通风开口
▼一组主机板电源黑色直出线路，提供1个ATX24P接头，20AWG线路长度为60公分
▼一组处理器电源黑色直出带状线路，提供1个EPS 8P接头及1个EPS 4+4P接头，至EPS 8P接头20AWG线路长度为65公分，EPS 8P至EPS 4+4P接头间20AWG线路长度为15公分
▼两组显示卡电源黑色直出带状线路，提供4个PCIE 6+2P接头，至第一个接头20AWG线路长度为60公分，接头间20AWG线路长度为15公分
▼两组SATA/大4P黑色直出带状线路，提供8个直角SATA接头及2个直式大4P接头，至第一个接头20AWG线路长度为45公分，接头间20AWG线路长度为11.5公分，其中一条的最后两段线路较长(红色箭头)，长度为15公分。未提供小4P接头或转接线
▼accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W内部结构及使用元件说明简表
▼accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W为LITE-ON(光宝)代工，采用APFC、半桥谐振、二次侧12V同步整流，并经由DC-DC转换3.3V/5V/-12V
▼采用Yate Loon D12SH-12 12公分12V/0.3A风扇，有设置气流导风片
▼电路板背面焊点做工良好，大电流路径有敷锡
▼主电路板背面覆盖防虫用塑胶硬质盖板，于12V同步整流MOSFET(红色箭头)及同步整流控制器(黄色箭头)加上灰色导热垫，并在下方塑胶硬质盖板开孔使导热垫可以直接接触金属外壳
▼靠近后方出风口处，防虫用塑胶硬质盖板往上延伸(红色箭头)，挡住出风口到电路板背面的缝隙，提高防虫能力
▼交流输入插座后方加上2个Y电容(CY1/CY2)，交流电源线与磁芯有包覆套管，焊点处未包覆套管
▼主电路板交流输入端采连接器连接，直立安装的保险丝与突波吸收器有包覆套管。主电路板EMI滤波电路有2个X电容(CX1/CX2)、2个共模电感(CM1/CM2)，2个Y电容(CY3/CY4)，仅在CM1共模电感加上黑色防护外框
▼主电路板EMI滤波电路背面有X电容放电IC(Power Integrations CAP200DG)
▼2颗并联的GBU808桥式整流器固定在散热片的两侧，桥式整流下方接脚套上防虫绝缘护套(下方红色箭头)
▼APFC电感采封闭式磁芯，外面包覆黑色聚酯薄膜胶带
▼一次侧散热片，2颗Infineon IPA60R120P7全绝缘封装MOSFET及1颗TOSHIBA TRS6A65F全绝缘封装二极体为APFC功率元件，2颗Infineon IPA60R180P7全绝缘封装MOSFET为一次侧功率元件，最左侧有1个谐振电感与2个谐振电容。 APFC电感与APFC电容之间的NTC热敏电阻及继电器均未安装，会影响通电瞬间涌浪电流抑制能力
▼全绝缘封装MOSFET/二极体的接脚均套上防虫绝缘护套(红色箭头)，不过护套长度略短，仍有一小部分接脚外露
▼主电路板背面的LTA2021(LITE-ON编号)负责控制APFC及一次侧谐振转换
▼APFC电容采用TK(Toshin Kogyo东信工业)450V 470µF LGW系列105℃电解电容
▼辅助电源电路变压器包覆黄色聚酯薄膜胶带，咖啡色电解电容均为TK(Toshin Kogyo东信工业)105℃电解电容
▼装在子卡上的Infineon ICE3AR10080CJZ辅助电源电路一次侧整合电源IC
▼主电路板背面的LTA1903(LITE-ON编号)辅助电源电路二次侧同步整流二极体
▼主变压器包覆黑色聚酯薄膜胶带，左侧有两片金属散热板，提供主电路板背面的12V同步整流MOSFET散热使用
▼主电路板背面有MPS MP6925同步整流控制器及6颗Nexperia PSMN2R2-40YSD MOSFET组成二次侧12V同步整流电路，透过焊点将热量传递至正面金属散热板，也有部分热量透过导热垫传递至背面外壳
▼金属散热板旁有12V输出滤波电路用APAQ固态电容及TK(Toshin Kogyo东信工业)105℃电解电容
▼3.3V/5V/-12V DC-DC及风扇控制子卡背面有银色隔板
▼取下银色隔板，3.3V/5V DC-DC部分有2组功率元件，每组由1颗onsemi FDD8880 MOSFET加1颗onsemi FDD8896 MOSFET组成，由Anpec APW7159C进行控制
▼子卡背面左上的TI TPS54302组成-12V DC/DC
▼子卡背面右下有风扇控制用Weltrend WT763001
▼子卡正面有3.3V及5V DC-DC环形磁芯电感及Elite/APAQ固态电容
▼主电路板背面的Weltrend WT7527RT电源管理IC，负责监控输出电压/电流、接受PS-ON信号控制、产生Power Good信号
▼主电路板背面有3.3V/5V/12V分流器，用于侦测输出电流提供过电流保护
▼主电路板线组输出端配置APAQ/SAMXON固态电容，线组末端使用不同颜色套管进行区分
接下来就是上机测试
测试文阅读方式请参照此篇：电源测试文阅读小指南
▼accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W空载启动时，耗电量为1.5W
▼accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W于20%/50%/100%下效率分别为93.13%/92.49%/88.61%，符合80PLUS金牌认证要求20%输出87%效率、50%输出90%效率、100%输出87%效率
从电源本体及线组插头处测试的电压差异，会对效率产生0.1%至0.9%的影响
▼accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W于10%/20%/50%/100%的交流输入波形(黄色-电压，红色-电流，绿色-功率)。 50%输出下功率因数为0.9934，符合80PLUS金牌认证要求50%输出下功率因数需大于0.9的要求
▼综合输出负载测试，输出60%时3.3V/5V电流达13A以后就不再往上加，3.3V/5V/12V电压记录如下表
▼综合输出9%至100%之间3.3V输出电压最高与最低点差异为40mV
▼综合输出9%至100%之间5V输出电压最高与最低点差异为34.1mV
▼综合输出9%至100%之间12V输出电压最高与最低点差异为26mV
▼偏载测试，这时12V维持空载，分别测试3.3V满载(CL1)、5V满载(CL2)、3.3V/5V满载(CL3)的3.3V/5V/12V电压变化，并无出现超出±5%范围情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V
▼纯12V输出负载测试，这时3.3V/5V维持空载，3.3V/5V/12V电压记录如下表
▼纯12V输出6%至100%之间3.3V输出电压最高与最低点差异为18.3mV
▼纯12V输出6%至100%之间5V输出电压最高与最低点差异为18.9mV
▼纯12V输出6%至100%之间12V输出电压最高与最低点差异为24mV
▼12V低输出转换效率测试，输出12V/1A效率82.1%，输出12V/2A效率86.5%，输出12V/3A效率88.1%
▼电源PS-ON信号启动后直接3.3V/13A、5V/13A、12V/53A满载输出下各电压上升时间图，从12V开始上升处当成起点(0.000s)时，12V上升时间为12ms，5V与3.3V上升时间为5ms。 12V于14ms开始出现数次电压波动(红框处)
▼3.3V/13A、5V/13A、12V/53A满载输出下断电的Hold-up time时序图，从交流中断处当成起点(0.000s)时，12V接近截止前出现数次电压波动，于10ms第一次波动降至11.34V，于12ms第二次波动中降至11.38V
以下波形图，CH1黄色波形为动态负载电流变化波形，CH2蓝色波形为12V电压波形，CH3紫色波形为5V电压波形，CH4绿色波形为3.3V电压波形
▼输出无负载时12V有锯齿状涟波(上图)。输出12V/1A至12V/3A时锯齿波频率改变，振幅加大(下图)
▼输出12V/4A时涟波波形改变(上图)。输出12V/9A时涟波波形振幅最小(下图)
▼于3.3V/13A、5V/13A、12V/53A(综合全负载)输出下，12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为59.2mV/19.6mV/23.6mV，高频涟波分别为54.8mV/19.6mV/24.8mV
▼于12V/62A(纯12V全负载)输出下，12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为55.6mV/18mV/14.8mV，高频涟波分别为57.6mV/17.6mV/14.4mV
▼12V启动动态负载，变动范围5A至25A，维持时间500微秒，最大变动幅度为480mV，同时造成3.3V产生86mV、5V产生88mV的变动
▼12V启动动态负载，变动范围25A至50A，维持时间500微秒，最大变动幅度为588mV，同时造成3.3V产生98mV、5V产生104mV的变动
▼12V启动动态负载，变动范围10A至50A，维持时间500微秒，最大变动幅度为926mV，同时造成3.3V产生150mV、5V产生158mV的变动
▼电源供应器满载输出下内部(上图)及背面外壳(下图)的红外线热影像图(附注：安装位置环境温度会影响测试结果)
▼电源供应器满载输出下桥式整流/APFC电感/APFC MOSFET/APFC DIODE/一次侧MOSFET/谐振电感(上图)及主变压器/二次侧/DC-DC(下图)的红外线热影像图(附注：安装位置环境温度会影响测试结果)
▼单条EPS 4+4P连续输出28A(336W)10分钟后的线材部分红外线热影像图(附注：安装位置环境温度会影响测试结果)
▼单条PCIE 6+2P连续输出21A(252W)10分钟后的线材部分红外线热影像图(附注：安装位置环境温度会影响测试结果)
本体及内部结构心得小结： ◆黑色直出线组除ATX24P外其他采用带状线组，全部使用20AWG线路。具备1个ATX24P、1个EPS 8P、1个EPS 4+4P、4个PCIE 6+2P、8个直角SATA、2个直式大4P，未提供小4P接头或转接线 ◆直接在外壳上冲压风扇护网 ◆电路板背面配置防虫盖板，靠近出风口处的防虫盖板向上垂直弯曲，堵住出风口到电路板背面的缝隙 ◆桥式整流、APFC/一次侧功率元件接脚配置防虫绝缘护套，不过功率元件接脚护套较短，仍有一小部分接脚外露 ◆未设置电源总开关，交流输入插座后方加上Y电容的焊点处未包覆套管。交流电源线、磁芯、保险丝、突波吸收器有包覆套管 ◆电路板背面焊点做工良好，大电流路径有敷锡 ◆采用APFC、半桥谐振、同步整流输出12V，并透过DC-DC转换3.3V/5V/-12V ◆APFC/一次侧MOSFET使用Infineon，APFC二极体使用TOSHIBA，12V同步整流MOSFET使用Nexperia，3.3V/5V DC-DC MOSFET使用onsemi，-12V DC-DC使用TI。APFC及一次侧所有功率元件均采用全绝缘封装 ◆内部所有电解电容使用TK(Toshin Kogyo东信工业)，固态电容使用Elite/APAQ/SAMXON ◆二次侧电源管理IC可侦测输出电压及电流是否在正常范围 各项测试结果简单总结： ◆accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W于20%/50%/100%下效率分别为93.13%/92.49%/88.61%，符合80PLUS金牌认证要求20%输出87%效率、50%输出90%效率、100%输出87%效率 ◆accuwitt Grand Rigid GT 750GD 750W的功率因数修正，满足80PLUS金牌认证要求输出50%下功率因数需大于0.9 ◆偏载测试，12V维持空载，测试3.3V满载、5V满载、3.3V/5V满载的3.3V/5V/12V电压变化，均未超出±5%范围 ◆电源启动至综合全负载输出状态，12V上升时间为12ms，3.3V/5V上升时间为5ms。12V于14ms开始出现数次电压波动 ◆综合全负载输出状态切断AC输入模拟电力中断，12V接近截止前出现数次电压波动，于10ms第一次波动降至11.34V，于12ms第二次波动中降至11.38V ◆输出无负载时12V有锯齿状涟波；输出12V/1A至12V/3A时涟波频率与振幅增大；输出12V/4A时涟波波形改变；输出12V/9A时涟波波形振幅最小；于综合全负载输出下12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为59.2mV/19.6mV/23.6mV；于纯12V全负载输出下12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为55.6mV/18mV/14.8mV ◆12V动态负载测试，变动范围5A至25A，维持时间500微秒，最大变动幅度为480mV ◆12V动态负载测试，变动范围25A至50A，维持时间500微秒，最大变动幅度为588mV ◆12V动态负载测试，变动范围10A至50A，维持时间500微秒，最大变动幅度为926mV ◆热机下3.3V过电流截止点在28A(140%)，5V过电流截止点在27A(135%)，12V过电流截止点在73A(118%) 报告完毕，谢谢收看
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